優(yōu)勢產(chǎn)品:燒結銀、無(wú)壓燒結銀,有壓燒結銀,半燒結導電膠、燒結銀膜、DTS(Die Top System)預燒結銀焊片、導電銀膜、納米焊料鍵合材料、銀玻璃膠粘劑,導電銀膠、導電銀漿、納米銀墨水、納米銀漿、納米銀膠、納米銀膏、可焊接低溫銀漿、可拉伸導電油墨、透明導電油墨、高導熱銀膠、導電膠、導電銀漿、導電油墨、UV膠等產(chǎn)品,擁有完善的納米顆粒技術(shù)平臺,金屬技術(shù)平臺、樹(shù)脂合成技術(shù)平臺、同位合成技術(shù)平臺,粘結技術(shù)平臺等。
納米燒結銀和微米燒結銀的區別
隨著(zhù)半導體行業(yè)的飛速發(fā)展,電子元器件日趨精密、微型化和集成化,勢必導致封裝密度與功率密度更高,因而會(huì )對封裝的散熱和可靠性要求越來(lái)越高。傳統的連接材料如導電膠無(wú)法滿(mǎn)足大功率器件的低溫固化高溫服役要求,于是應用于大功率半導體器件封裝的納米銀膏越來(lái)越受到市場(chǎng)的歡迎。
使用納米銀顆粒在低溫下進(jìn)行有壓燒結是目前用于SIC芯片鍵合較有前途的材料,這種方法具有較高的溫度相容性,并且能夠提供很好的導熱性。納米燒結銀膏AS9375系列較大的優(yōu)勢是其低溫連接、高溫服役的特殊性能,該性能可以保證連接工藝造成的熱失配較小,殘余應力低,接頭可靠性高。
燒結技術(shù)是通過(guò)高溫使材料表面原子互相擴散,從而形成致密晶體的過(guò)程。低溫燒結技術(shù)通過(guò)減小燒結顆粒的尺寸,可降低燒結溫度。
納米銀粉由于其獨特的納米特性,為半導體芯片的封裝提供了另一個(gè)嶄新的思路。銀的熔點(diǎn)是961℃,而當顆粒尺寸到納米級別,其熔點(diǎn)會(huì )顯著(zhù)降低,因此AS9375燒結銀可以通過(guò)低溫燒結實(shí)現電子產(chǎn)品或芯片的互聯(lián),而燒結后的燒結層熔點(diǎn)又恢復到銀的常規熔點(diǎn),可滿(mǎn)足電子產(chǎn)品在高溫下正常使用,并且銀具有優(yōu)異的導熱導電性和良好的化學(xué)穩定性,是半導體封裝較有應用前景的互連材料之一。
一 納米燒結銀膏和微米燒結銀膏差別
微米銀膏作為電子封裝材料已得到應用,與納米銀膏燒結連接相比,微米銀膏銀顆粒的尺寸較大,其燒結溫度較高貨燒結壓力較大,燒結連接特性也有一定差異。
對比分析納米銀膏與微米銀膏燒結連接強度的差異:將微米銀膏與納米銀膏在相同條件下燒結連接鍍銀銅塊,在5MPa條件下,納米銀膏燒結接頭的剪切強度是微米銀膏的9倍多。納米銀膏在低燒結壓力條件下其剪切強度有明顯優(yōu)勢。
對比分析納米銀膏與微米銀膏燒結接頭斷口情況,將燒結接頭在顯微組織下分析,納米銀膏接頭燒結層與鍍銀層結合較好,燒結層為微孔結構,孔隙率低。納米銀膏燒結層導熱率高于微米銀膏燒結層,使用納米銀膏有利于延長(cháng)電子器件的使用壽命。
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